SCT3030ARC14_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為99A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件結合高耐壓能力與極低導通損耗，在高頻開關條件下仍能維持高效運行，適用于對轉換效率和熱管理要求嚴苛的電源系統、可再生能源并網設備以及高密度電能變換裝置。
