DIW012N65-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓高達800V，導通電阻典型值為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有優異的高溫穩定性和開關性能，適用于高效率、高頻率的功率轉換場景。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升系統整體能效，同時寬柵壓范圍增強了驅動兼容性與可靠性。
