STP35N65DM2-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為30A，漏源電壓耐受能力達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和快速開關(guān)特性，適用于高效率、高頻率的電力電子系統(tǒng)，如通信電源、光伏逆變器、不間斷電源及各類高效能開關(guān)轉(zhuǎn)換器，在提升系統(tǒng)效率與功率密度方面表現(xiàn)突出。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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