SIHG22N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。其采用碳化硅材料，具有較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，以及良好的高溫工作穩(wěn)定性。適用于對(duì)效率和體積有較高要求的電源系統(tǒng)，如通信設(shè)備供電、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置、高頻開關(guān)電源及高密度功率模塊等場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
