FCMT099N65S3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備37A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至94mΩ，可在柵源電壓范圍-10V至@5V內可靠運行。得益于碳化硅材料的高臨界電場強度和熱導率，器件在高頻開關條件下仍保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高功率密度電力電子設備，有助于提升系統整體性能與可靠性。
