STW26N65DM2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為800V，導通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備高擊穿電壓與較低導通損耗的特性，適用于高頻、高效率的電源轉換系統。其寬柵壓范圍有助于提升驅動電路的適配性，在開關電源、可再生能源變換器及高密度電力電子模塊中可實現穩定可靠的性能表現。
