STE145N65M5-HXY_SOT-227_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：13/管裝 參數1：ID:165A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有165A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓達750V，導通電阻低至11mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升整體能效，適合用于對性能和可靠性要求較高的電力電子應用場合。
