STD6N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5.3A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:820mR 參數(shù)4：VGS:-8/+19V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.3A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為820mΩ。柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至!9V，適用于對開關(guān)效率和熱性能要求較高的電力電子場合。器件基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻特性和較低的開關(guān)損耗，在適配器、電源轉(zhuǎn)換及高密度功率模塊等應(yīng)用中可實現(xiàn)緊湊設(shè)計與高效運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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