NDD05N50ZT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續漏極電流（ID）為5A，導通電阻（RDS(ON)）為1300mΩ。器件在高耐壓條件下提供穩定的開關性能，適用于對電壓裕量要求較高的中小功率電子電路。典型應用場景包括開關電源、LED驅動、家用電器控制模塊以及各類需要高側或低側開關功能的電子裝置。其參數組合兼顧了耐壓能力與導通特性，適合在有限散熱條件下實現可靠運行。
