NCE65T360F_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流為15A，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻典型值為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)和高溫條件下仍能維持較低的導通與開關(guān)損耗，適用于高效率、高功率密度的電源系統(tǒng)，如通信設(shè)備供電、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置及高頻開關(guān)電源等應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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