BUK625R2-30C,118_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。器件適用于高效率電源轉換和大電流開關場景，其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力和較低的熱阻特性，該MOSFET在緊湊型電源模塊、電池管理系統及高性能計算供電架構中可實現穩定可靠的開關操作。
