GKI03061-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏極連續(xù)電流（ID）為80A，漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）為4.7mΩ，柵源電壓（VGS）最大額定值為20V。器件在高電流條件下保持較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能有較高要求的電源轉換、電池管理系統(tǒng)及各類開關電路中，能有效支持大電流負載的穩(wěn)定運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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