SVS65R240FJDD4_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備20A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為160mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。其采用碳化硅材料，具有優異的高溫穩定性和快速開關特性，適用于高頻電源轉換、可再生能源發電系統以及高效率電能管理等應用，在降低導通與開關損耗方面表現突出。
