GSGP7R110_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。在高電流應用中，其低導通電阻可有效減少功率損耗并提升整體效率。適用于開關電源、電機驅動、電池管理系統及各類需要高效能功率開關的電子裝置。器件結構支持快速開關特性，適合在高頻工作環境下穩定運行。
