MCU655N65FH-TP_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為800V，連續漏極電流（ID）達10.2A，導通電阻（RDS(on)）為550mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料優勢，在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于高效率電源、光伏逆變系統、服務器電源及對能效和緊湊設計有較高要求的電力電子場合。
