MCU655N65FH-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10.2A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:550mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為800V，連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)10.2A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為550mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢，在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性。適用于高效率電源、光伏逆變系統(tǒng)、服務(wù)器電源及對能效和緊湊設(shè)計(jì)有較高要求的電力電子場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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