DMTH10H009SPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具備75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7.3毫歐，在柵源電壓（VGS）達20V時可確保充分導通。其高電流承載能力與低導通損耗特性，適用于高效率電源轉換、電機控制及大電流開關電路等場合。器件在高頻操作下仍能保持良好的熱穩定性和開關性能，適合對功率密度和能效有較高要求的應用環境。
