TPD65R280D_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備20A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為160mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。其采用碳化硅材料，具有低開關損耗、高熱導率和優異的高頻特性，適用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置以及對體積與能效有較高要求的電力電子應用。器件在高溫環境下仍能保持穩定電氣性能。
