NTMFS4C09NAT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現(xiàn)高效導(dǎo)通。器件適用于對開關(guān)速度與導(dǎo)通損耗要求較高的電源管理場景，其低阻抗特性有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率，適合用于高密度、高效率的直流轉(zhuǎn)換及負(fù)載開關(guān)等電路拓?fù)渲小?/p>
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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