DMTH10H009LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有75A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。在高電流工作條件下，其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升整體能效。適用于高功率密度的電源轉換、電機驅動以及大電流開關等應用場合。器件結構支持良好的熱性能與開關特性，適合在高頻或持續(xù)高負載環(huán)境中穩(wěn)定運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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