TK560A65Y,S4X_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:7.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有7.1A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為410mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源、光伏逆變系統、服務器電源及類似對熱管理和能效有較高要求的電力電子應用。其負向柵壓耐受能力有助于提升開關可靠性。
