MCU600N65SH-TP_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流能力，導通電阻（RDS(on)）為550mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，支持可靠的開關控制。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻工作條件下仍能維持較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統中的功率調節以及對體積和散熱有嚴格要求的電力電子設備。
