SPD07N60C3T_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10.2A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:550mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為550mΩ。柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V，確保在多種驅(qū)動(dòng)條件下穩(wěn)定工作。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫性能與開關(guān)特性，適用于對(duì)效率和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)能力有助于提升整體系統(tǒng)能效，適合用于高頻、高功率密度的電力電子應(yīng)用場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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