IPD65R650CEAUMA1_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為550mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于對效率和開關速度要求較高的電源轉換場景。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時低導通電阻有助于降低導通損耗，提升系統整體能效。
