GSGP2R806_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有125A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.4毫歐。器件在高電流應用中表現出優異的導通性能與能效，適用于對功率密度和熱管理有較高要求的電路設計。其低導通電阻有助于減少傳導損耗，提升系統整體效率，適合用于電源轉換、電機驅動及高功率開關等場景。
