BSC070N10NS5ATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6.4毫歐。低導通電阻有助于在高電流條件下顯著降低導通損耗，提升整體能效，并改善熱管理表現。器件適用于對功率密度和效率要求較高的開關電源、電機驅動、電池供電系統及各類高電流電子負載控制場合，能夠支持快速開關動作并維持穩定的工作特性。
