IPD060N03LGATMA1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。器件適用于對導通損耗敏感的高效率電源轉換場景，其低阻抗特性有助于減少發熱并提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力和較低的導通壓降，該MOSFET可有效支持大功率負載下的穩定運行，適合用于各類緊湊型、高密度的電子電源模塊及開關電路中。
