SIHD6N65ET4-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10.2A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:550mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為550mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V（VGS）內(nèi)穩(wěn)定工作。器件利用碳化硅材料特性，適用于高效率、高頻率的電源轉(zhuǎn)換場景，其低導(dǎo)通損耗與高耐壓能力有助于提升系統(tǒng)整體性能，適合對能效和熱管理有較高要求的應(yīng)用環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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