SIHD6N65ET1-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為550mΩ，適用于高電壓、中等電流的功率開關場景。其柵源電壓范圍（VGS）為-8V至@0V，支持寬幅驅動信號，有助于提升系統可靠性與抗干擾能力。碳化硅材料帶來的低開關損耗與高熱穩定性，使其適合用于高頻電源、光伏逆變器、儲能系統及對效率和體積有較高要求的電力電子裝置中。
