SIHD6N65ET5-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:10.2A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:550mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續(xù)漏極電流能力，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為550mΩ，在柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍-8V至@0V（VGS）內(nèi)可靠運(yùn)行。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高電壓、高頻率工作條件下表現(xiàn)出較低的開(kāi)關(guān)與導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)效率、體積及熱性能有嚴(yán)苛要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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