NTMFS4C027NAT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為4.3毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。其低導通電阻有效降低導通損耗，在高頻率開關或大電流運行條件下仍能維持較高效率。適用于電源管理、電機控制、電池保護及各類高功率密度電子系統中，對熱管理和能效表現有較高要求的應用場景。
