RJK03M6DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:35A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流為35A，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻典型值為7.5毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較低溫升。器件適用于對效率和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)及同步整流等應(yīng)用場合。由于具備良好的開關(guān)特性和穩(wěn)定的電氣參數(shù)，可在多種電子系統(tǒng)中實現(xiàn)可靠的功率控制與管理。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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