IPW65R029CFD7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻典型值為26mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關(guān)條件下保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、可再生能源逆變器及高性能計算設(shè)備中的電力管理模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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