IPBE65R050CFD7AATMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:36mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至36mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和熱穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場景。其低導通損耗與快速開關能力有助于提升系統整體能效，同時寬柵壓范圍增強了驅動兼容性與可靠性。
