IV2Q06025D7Z_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有73A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和26mΩ的導通電阻，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。其基于碳化硅材料的結構在高開關頻率下表現出優異的導通與開關特性，有效降低能量損耗。適用于高效率電源轉換系統、可再生能源發電設備、服務器電源及高頻電力電子裝置，在高電壓、大電流工作環境中保持良好的熱穩定性和可靠性。
