NTMT064N65S3H-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:68A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道類型，具有68A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至45mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強(qiáng)度與熱導(dǎo)率，器件在高頻開關(guān)操作中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置及各類高功率密度電力電子設(shè)備中的開關(guān)功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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