SCT3080ARHRC15-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件依托碳化硅材料的高熱導率與高擊穿場強，在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和體積有嚴苛要求的電源轉換系統。其負柵壓能力有助于增強關斷可靠性，提升在復雜電氣環境下的運行穩定性。
