SIHK125N65E-T1-GE3-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫性能與開關效率，適用于高頻率、高效率的電源轉換場景。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升系統整體能效，適合用于對體積與熱管理有較高要求的電力電子裝置中。
