NTT2023N065M3S-HXY_T2PAK_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：T2PAK 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：700/圓盤 參數1：ID:84A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有84A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場景。其低導通損耗與快速開關能力有助于提升系統整體能效，同時簡化散熱設計。
