STW68N65DM6-4AG-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為55A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻典型值為45mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關(guān)條件下展現(xiàn)出優(yōu)異的導通與開關(guān)性能，同時具備較低的功率損耗和良好的熱穩(wěn)定性。適用于對效率、響應(yīng)速度及緊湊布局有明確要求的電源轉(zhuǎn)換與電力電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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