FCH041N65EF-F155-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為44mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性。其參數組合適合用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統，能夠在較高溫度環境下維持穩定性能，同時寬柵壓范圍提升了驅動電路的設計靈活性與魯棒性。
