IPT65R025CM8XTMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V?；谔蓟璨牧系奶匦?，器件在高頻工作條件下展現出較低的開關與導通損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源并網系統以及對熱管理要求較高的電力電子應用。寬VGS范圍增強了與多種驅動電路的兼容性。
