RM15N650T1_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為20A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為160mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅工藝，具備低開關損耗與高工作結溫特性，適用于高頻開關電源、光伏逆變系統、不間斷電源及各類高效電能轉換場合。其電氣參數支持在嚴苛電路條件下穩定運行，同時有助于提升系統整體效率與功率密度。
