IXTH80N65X2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和26mΩ的導通電阻，柵源電壓范圍為-10V至@5V。其采用碳化硅材料，具有優異的高頻開關性能和熱穩定性，在高效率電源系統、可再生能源并網設備及高頻電力轉換裝置中可有效降低導通與開關損耗。寬柵壓范圍增強了驅動適應性，有助于提升系統在復雜電氣環境中的可靠性與運行效率。
