IXSH100N65L2KHV-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻典型值為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度與低導通損耗特性，器件在高頻開關應用中表現出色，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能電力電子設備，能夠在提升系統響應速度的同時有效控制溫升與能量損耗。
