GSJA65R041_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流ID為70A，漏源電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)為44mΩ，柵源驅動電壓范圍VGS為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關性能和較低的導通損耗，在高效率電源轉換、可再生能源系統及高功率密度電源模塊中具有良好的適用性。其寬柵壓范圍有助于提升驅動電路的兼容性與可靠性。
