STWA68N65DM6AG-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為70A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場與高熱導率特性，在高頻開關應用中可顯著降低導通和開關損耗。適用于對效率、功率密度及熱管理有較高要求的電源系統，如服務器電源、光伏逆變器及高頻DC-DC轉換器等場景。
