IPW60R024P7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至20mΩ，適用于高效率、高頻率的功率轉換場景。其柵源電壓范圍為-10V至@5V，具備良好的驅動兼容性與可靠性。器件利用碳化硅材料特性，在高溫和高壓條件下仍能保持穩定的電氣性能，適合用于對體積、效率及熱管理有較高要求的電源系統中。
