STW65N65DM2AG-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，最大漏極電流（ID）達(dá)55A，漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為58mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍（VGS）為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料特性，在高頻、高效率應(yīng)用場景中展現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，適用于對功率密度和能效有較高要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低導(dǎo)通損耗與寬驅(qū)動(dòng)電壓窗口有助于簡化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)并提升整體系統(tǒng)可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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