SPD50N03S207GBTMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻有效降低導通損耗，提升能效表現，適用于對電流承載能力和熱性能要求較高的功率轉換場合。其電氣特性支持在高頻開關條件下穩定運行，適合用于高密度電源模塊、便攜式設備供電系統及其它需要高效功率管理的電子裝置中。
